RU140N10R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU140N10R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 810 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de RU140N10R MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RU140N10R datasheet

 ..1. Size:330K  ruichips
ru140n10r.pdf pdf_icon

RU140N10R

RU140N10R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/140A RDS (ON)=6.5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Low Gate Charge Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested Applications Switching applications N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA

Otros transistores... HY80N075T, HY80N07T, HY8N50T, HY8N65T, HY8N70T, RU1088R, RU120N15Q, RU120N15R, IRFP260N, RU16P8M4, RU190N10Q, RU190N10R, RU190N10S, RU1C001UN, RU1C001ZP, RU1H100R, RU1H130Q