RU140N10R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU140N10R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 810 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de RU140N10R MOSFET
RU140N10R Datasheet (PDF)
ru140n10r.pdf

RU140N10R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/140A RDS (ON)=6.5m(Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Low Gate Charge Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested Applications Switching applications N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA
Otros transistores... HY80N075T , HY80N07T , HY8N50T , HY8N65T , HY8N70T , RU1088R , RU120N15Q , RU120N15R , 10N60 , RU16P8M4 , RU190N10Q , RU190N10R , RU190N10S , RU1C001UN , RU1C001ZP , RU1H100R , RU1H130Q .
History: VS5814DS | STN4526 | RJK0631JPR | HM85N90 | KUK7606-55A | 19N10G-TMS2-T | 2SK2014
History: VS5814DS | STN4526 | RJK0631JPR | HM85N90 | KUK7606-55A | 19N10G-TMS2-T | 2SK2014



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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