RU140N10R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU140N10R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU140N10R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU140N10R даташит

 ..1. Size:330K  ruichips
 ru140n10r.pdf pdf_icon

RU140N10R

RU140N10R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/140A RDS (ON)=6.5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Low Gate Charge Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested Applications Switching applications N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA

Другие IGBT... HY80N075T, HY80N07T, HY8N50T, HY8N65T, HY8N70T, RU1088R, RU120N15Q, RU120N15R, IRFP260N, RU16P8M4, RU190N10Q, RU190N10R, RU190N10S, RU1C001UN, RU1C001ZP, RU1H100R, RU1H130Q