Справочник MOSFET. RU140N10R

 

RU140N10R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU140N10R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU140N10R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU140N10R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:330K  ruichips
 ru140n10r.pdf pdf_icon

RU140N10R

RU140N10R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/140A RDS (ON)=6.5m(Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Low Gate Charge Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested Applications Switching applications N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA

Другие MOSFET... HY80N075T , HY80N07T , HY8N50T , HY8N65T , HY8N70T , RU1088R , RU120N15Q , RU120N15R , 10N60 , RU16P8M4 , RU190N10Q , RU190N10R , RU190N10S , RU1C001UN , RU1C001ZP , RU1H100R , RU1H130Q .

History: NTMFS5C456NL | AUIRFR3504Z | P7006BL

 

 
Back to Top

 


 
.