RU16P8M4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU16P8M4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 16 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SDFN2020

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RU16P8M4 datasheet

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RU16P8M4

RU16P8M4 P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -16V/-8A, RDS (ON) =40m (Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =65m (Typ.)@VGS=-2.5V G Super High Dense Cell Design S Fast Switching Speed D Reliable and Rugged S D D Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D D PIN1 SDFN2020 D Applications Load Swtich Battery Charge G

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