Справочник MOSFET. RU16P8M4

 

RU16P8M4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU16P8M4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SDFN2020
 

 Аналог (замена) для RU16P8M4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU16P8M4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  ruichips
 ru16p8m4.pdf pdf_icon

RU16P8M4

RU16P8M4P-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -16V/-8A, RDS (ON) =40m(Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =65m(Typ.)@VGS=-2.5VG Super High Dense Cell DesignS Fast Switching SpeedD Reliable and RuggedSDD Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)DDPIN1SDFN2020DApplications Load Swtich Battery ChargeG

Другие MOSFET... HY80N07T , HY8N50T , HY8N65T , HY8N70T , RU1088R , RU120N15Q , RU120N15R , RU140N10R , IRF3710 , RU190N10Q , RU190N10R , RU190N10S , RU1C001UN , RU1C001ZP , RU1H100R , RU1H130Q , RU1H130R .

History: IPP60R380E6 | NCE0117AK | BRCS120N06SYM | FDZ299P | P1850EF | IRF640LPBF | DMN67D8LW

 

 
Back to Top

 


 
.