RU16P8M4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU16P8M4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 16 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SDFN2020

Аналог (замена) для RU16P8M4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU16P8M4 даташит

 ..1. Size:309K  ruichips
 ru16p8m4.pdf pdf_icon

RU16P8M4

RU16P8M4 P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -16V/-8A, RDS (ON) =40m (Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =65m (Typ.)@VGS=-2.5V G Super High Dense Cell Design S Fast Switching Speed D Reliable and Rugged S D D Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D D PIN1 SDFN2020 D Applications Load Swtich Battery Charge G

Другие IGBT... HY80N07T, HY8N50T, HY8N65T, HY8N70T, RU1088R, RU120N15Q, RU120N15R, RU140N10R, AO3400, RU190N10Q, RU190N10R, RU190N10S, RU1C001UN, RU1C001ZP, RU1H100R, RU1H130Q, RU1H130R