RU1H35L Todos los transistores

 

RU1H35L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU1H35L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de RU1H35L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RU1H35L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  ruichips
 ru1h35l.pdf pdf_icon

RU1H35L

RU1H35LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/40A,RDS (ON) =21m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252Applications High Speed Power SwitchingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C

 8.1. Size:287K  ruichips
 ru1h35q.pdf pdf_icon

RU1H35L

RU1H35QN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/40A,RDS (ON) =21m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-247ApplicationsSwitching applicationN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unles

 8.2. Size:298K  ruichips
 ru1h35r.pdf pdf_icon

RU1H35L

RU1H35RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/40A,RDS (ON) =21m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220ApplicationsSwitching applicationN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unles

 8.3. Size:290K  ruichips
 ru1h35s.pdf pdf_icon

RU1H35L

RU1H35SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/40A,RDS (ON) =21m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-263ApplicationsSwitching applicationN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unles

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... RU1H100R , RU1H130Q , RU1H130R , RU1H130S , RU1H190R , RU1H190S , RU1H300Q , RU1H35K , IRFP260 , RU1H35Q , RU1H35R , RU1H35S , RU1H36L , RU1H36R , RU1H36S , RU1H40L , RU1H60R .

History: SLF32N20C | GSM4804

 

 
Back to Top

 


 
.