RU1H35L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU1H35L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RU1H35L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1H35L даташит

 ..1. Size:284K  ruichips
 ru1h35l.pdf pdf_icon

RU1H35L

RU1H35L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 100V/40A, RDS (ON) =21m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252 Applications High Speed Power Switching N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA=25 C

 8.1. Size:287K  ruichips
 ru1h35q.pdf pdf_icon

RU1H35L

RU1H35Q N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 100V/40A, RDS (ON) =21m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-247 Applications Switching application N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA=25 C Unles

 8.2. Size:298K  ruichips
 ru1h35r.pdf pdf_icon

RU1H35L

RU1H35R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 100V/40A, RDS (ON) =21m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220 Applications Switching application N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA=25 C Unles

 8.3. Size:290K  ruichips
 ru1h35s.pdf pdf_icon

RU1H35L

RU1H35S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 100V/40A, RDS (ON) =21m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-263 Applications Switching application N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA=25 C Unles

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU1H100R, RU1H130Q, RU1H130R, RU1H130S, RU1H190R, RU1H190S, RU1H300Q, RU1H35K, 2SK3878, RU1H35Q, RU1H35R, RU1H35S, RU1H36L, RU1H36R, RU1H36S, RU1H40L, RU1H60R