RU1H40L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU1H40L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU1H40L
RU1H40L Datasheet (PDF)
ru1h40l.pdf
RU1H40LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/40A,RDS (ON) =22m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =28m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications High Speed Power Switchin
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Liste
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