RU1H40L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU1H40L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de RU1H40L MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RU1H40L datasheet

 ..1. Size:291K  ruichips
 ru1h40l.pdf pdf_icon

RU1H40L

RU1H40L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 100V/40A, RDS (ON) =22m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =28m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications High Speed Power Switchin

Otros transistores... RU1H35K, RU1H35L, RU1H35Q, RU1H35R, RU1H35S, RU1H36L, RU1H36R, RU1H36S, K3569, RU1H60R, RU1H7H, RU1H80R, RU1HC2H, RU1HE12L, RU1HE16L, RU1HE3D, RU1HE3H