RU1H40L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU1H40L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для RU1H40L
RU1H40L Datasheet (PDF)
ru1h40l.pdf

RU1H40LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/40A,RDS (ON) =22m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =28m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications High Speed Power Switchin
Другие MOSFET... RU1H35K , RU1H35L , RU1H35Q , RU1H35R , RU1H35S , RU1H36L , RU1H36R , RU1H36S , 12N60 , RU1H60R , RU1H7H , RU1H80R , RU1HC2H , RU1HE12L , RU1HE16L , RU1HE3D , RU1HE3H .
History: RU1HC2H | AP6N2R0CDT | TPP65R075DFD | RU1H7H
History: RU1HC2H | AP6N2R0CDT | TPP65R075DFD | RU1H7H



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440