RU1H40L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU1H40L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RU1H40L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1H40L даташит

 ..1. Size:291K  ruichips
 ru1h40l.pdf pdf_icon

RU1H40L

RU1H40L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 100V/40A, RDS (ON) =22m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =28m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications High Speed Power Switchin

Другие IGBT... RU1H35K, RU1H35L, RU1H35Q, RU1H35R, RU1H35S, RU1H36L, RU1H36R, RU1H36S, K3569, RU1H60R, RU1H7H, RU1H80R, RU1HC2H, RU1HE12L, RU1HE16L, RU1HE3D, RU1HE3H