RU1H40L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU1H40L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO-252
RU1H40L Datasheet (PDF)
ru1h40l.pdf
RU1H40LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/40A,RDS (ON) =22m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =28m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications High Speed Power Switchin
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918