Справочник MOSFET. RU1H40L

 

RU1H40L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU1H40L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RU1H40L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1H40L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  ruichips
 ru1h40l.pdf pdf_icon

RU1H40L

RU1H40LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/40A,RDS (ON) =22m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =28m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications High Speed Power Switchin

Другие MOSFET... RU1H35K , RU1H35L , RU1H35Q , RU1H35R , RU1H35S , RU1H36L , RU1H36R , RU1H36S , SPP20N60C3 , RU1H60R , RU1H7H , RU1H80R , RU1HC2H , RU1HE12L , RU1HE16L , RU1HE3D , RU1HE3H .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.