RU1H60R Todos los transistores

 

RU1H60R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU1H60R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 760 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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RU1H60R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  ruichips
 ru1h60r.pdf pdf_icon

RU1H60R

RU1H60R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/60A, RDS (ON) =17 m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =18.5 m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Switching Applications N-Channel MOSFET Absolute M

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History: STP34NM60ND | RU1HE12L | RU1H7H

 

 
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