Справочник MOSFET. RU1H60R

 

RU1H60R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU1H60R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU1H60R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1H60R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  ruichips
 ru1h60r.pdf pdf_icon

RU1H60R

RU1H60R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/60A, RDS (ON) =17 m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =18.5 m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Switching Applications N-Channel MOSFET Absolute M

Другие MOSFET... RU1H35L , RU1H35Q , RU1H35R , RU1H35S , RU1H36L , RU1H36R , RU1H36S , RU1H40L , 8205A , RU1H7H , RU1H80R , RU1HC2H , RU1HE12L , RU1HE16L , RU1HE3D , RU1HE3H , RU1HE4D .

 

 
Back to Top

 


 
.