RU1H60R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU1H60R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для RU1H60R
RU1H60R Datasheet (PDF)
ru1h60r.pdf

RU1H60R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/60A, RDS (ON) =17 m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =18.5 m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Switching Applications N-Channel MOSFET Absolute M
Другие MOSFET... RU1H35L , RU1H35Q , RU1H35R , RU1H35S , RU1H36L , RU1H36R , RU1H36S , RU1H40L , 4435 , RU1H7H , RU1H80R , RU1HC2H , RU1HE12L , RU1HE16L , RU1HE3D , RU1HE3H , RU1HE4D .
History: OSS60R099HF | RU1HC2H | AP6N2R0CDT | RU1H7H | RU1H40L | RU1H35S | TPP65R075DFD
History: OSS60R099HF | RU1HC2H | AP6N2R0CDT | RU1H7H | RU1H40L | RU1H35S | TPP65R075DFD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c