RU1H60R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU1H60R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 52 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 760 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO-220
RU1H60R Datasheet (PDF)
..1. Size:337K ruichips
ru1h60r.pdf
ru1h60r.pdf
RU1H60R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/60A, RDS (ON) =17 m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =18.5 m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Switching Applications N-Channel MOSFET Absolute M
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
