RU1H60R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU1H60R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU1H60R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1H60R даташит

 ..1. Size:337K  ruichips
 ru1h60r.pdf pdf_icon

RU1H60R

RU1H60R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/60A, RDS (ON) =17 m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =18.5 m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Switching Applications N-Channel MOSFET Absolute M

Другие IGBT... RU1H35L, RU1H35Q, RU1H35R, RU1H35S, RU1H36L, RU1H36R, RU1H36S, RU1H40L, IRFP260, RU1H7H, RU1H80R, RU1HC2H, RU1HE12L, RU1HE16L, RU1HE3D, RU1HE3H, RU1HE4D