RU1H7H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU1H7H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RU1H7H datasheet

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RU1H7H

RU1H7H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 100V/6A, RDS (ON) =40m (Typ.) @ VGS=10V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Available SOP-8 Applications SMPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA=25 C Unless Otherwise Noted) 100 VDSS Drain-Source

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