RU1H7H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU1H7H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 44 nC
Tiempo de subida (tr): 76 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU1H7H
RU1H7H Datasheet (PDF)
ru1h7h.pdf
RU1H7HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/6A,RDS (ON) =40m (Typ.) @ VGS=10V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications SMPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unless Otherwise Noted)100VDSSDrain-Source
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .