RU1H7H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU1H7H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для RU1H7H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1H7H даташит

 ..1. Size:265K  ruichips
 ru1h7h.pdf pdf_icon

RU1H7H

RU1H7H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 100V/6A, RDS (ON) =40m (Typ.) @ VGS=10V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Available SOP-8 Applications SMPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA=25 C Unless Otherwise Noted) 100 VDSS Drain-Source

Другие IGBT... RU1H35Q, RU1H35R, RU1H35S, RU1H36L, RU1H36R, RU1H36S, RU1H40L, RU1H60R, 4435, RU1H80R, RU1HC2H, RU1HE12L, RU1HE16L, RU1HE3D, RU1HE3H, RU1HE4D, RU1HE4H