Справочник MOSFET. RU1H7H

 

RU1H7H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU1H7H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для RU1H7H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1H7H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  ruichips
 ru1h7h.pdf pdf_icon

RU1H7H

RU1H7HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/6A,RDS (ON) =40m (Typ.) @ VGS=10V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications SMPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unless Otherwise Noted)100VDSSDrain-Source

Другие MOSFET... RU1H35Q , RU1H35R , RU1H35S , RU1H36L , RU1H36R , RU1H36S , RU1H40L , RU1H60R , 2SK3568 , RU1H80R , RU1HC2H , RU1HE12L , RU1HE16L , RU1HE3D , RU1HE3H , RU1HE4D , RU1HE4H .

History: IRF6619 | TPC8301 | RJK5026DPE | DMG6301UDW | 3N70L-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.