RU1H80R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU1H80R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO-220

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RU1H80R datasheet

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RU1H80R

RU1H80R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 100V/80A, RDS (ON) =9m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications High Current Switching Applications N-Ch

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