Справочник MOSFET. RU1H80R

 

RU1H80R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU1H80R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU1H80R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1H80R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  ruichips
 ru1h80r.pdf pdf_icon

RU1H80R

RU1H80RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/80A,RDS (ON) =9m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications High Current Switching ApplicationsN-Ch

Другие MOSFET... RU1H35R , RU1H35S , RU1H36L , RU1H36R , RU1H36S , RU1H40L , RU1H60R , RU1H7H , AON7410 , RU1HC2H , RU1HE12L , RU1HE16L , RU1HE3D , RU1HE3H , RU1HE4D , RU1HE4H , RU1HL13K .

History: S85N042RP | BSC014N04LSI

 

 
Back to Top

 


 
.