RU1H80R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU1H80R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU1H80R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1H80R даташит

 ..1. Size:322K  ruichips
 ru1h80r.pdf pdf_icon

RU1H80R

RU1H80R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 100V/80A, RDS (ON) =9m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications High Current Switching Applications N-Ch

Другие IGBT... RU1H35R, RU1H35S, RU1H36L, RU1H36R, RU1H36S, RU1H40L, RU1H60R, RU1H7H, SPP20N60C3, RU1HC2H, RU1HE12L, RU1HE16L, RU1HE3D, RU1HE3H, RU1HE4D, RU1HE4H, RU1HL13K