RU1HC2H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU1HC2H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 134 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RU1HC2H datasheet

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RU1HC2H

RU1HC2H Complementary Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description N-Channel 100V/3.5A, RDS (ON) =75m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel -100V/-2.5A, RDS (ON) =155m (Typ.) @ VGS=-10V RDS (ON) =175m (Typ.) @ VGS=-4.5V SOP-8 Reliable and Rugged ESD Protected Lead Free and Green Available Applications Power Manag

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