RU1HC2H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU1HC2H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 24 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 134 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU1HC2H

RU1HC2H Datasheet (PDF)

..1. Size:354K ruichips
ru1hc2h.pdf

RU1HC2HComplementary Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description N-Channel100V/3.5A,RDS (ON) =75m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel-100V/-2.5A,RDS (ON) =155m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =175m (Typ.) @ VGS=-4.5VSOP-8 Reliable and Rugged ESD Protected Lead Free and Green AvailableApplications Power Manag

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Liste

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