RU1HC2H Todos los transistores

 

RU1HC2H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU1HC2H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 134 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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RU1HC2H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  ruichips
 ru1hc2h.pdf pdf_icon

RU1HC2H

RU1HC2HComplementary Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description N-Channel100V/3.5A,RDS (ON) =75m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel-100V/-2.5A,RDS (ON) =155m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =175m (Typ.) @ VGS=-4.5VSOP-8 Reliable and Rugged ESD Protected Lead Free and Green AvailableApplications Power Manag

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History: 2SK1496-Z | SIHFP460N | SSM6K18TU | TPU70R450C | AFC5521 | TSM1N45CW | HAT2019R

 

 
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