Справочник MOSFET. RU1HC2H

 

RU1HC2H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU1HC2H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 134 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для RU1HC2H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1HC2H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  ruichips
 ru1hc2h.pdf pdf_icon

RU1HC2H

RU1HC2HComplementary Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description N-Channel100V/3.5A,RDS (ON) =75m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel-100V/-2.5A,RDS (ON) =155m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =175m (Typ.) @ VGS=-4.5VSOP-8 Reliable and Rugged ESD Protected Lead Free and Green AvailableApplications Power Manag

Другие MOSFET... RU1H35S , RU1H36L , RU1H36R , RU1H36S , RU1H40L , RU1H60R , RU1H7H , RU1H80R , IRF9540N , RU1HE12L , RU1HE16L , RU1HE3D , RU1HE3H , RU1HE4D , RU1HE4H , RU1HL13K , RU1HL13L .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.