Справочник MOSFET. RU1HC2H

 

RU1HC2H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU1HC2H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 134 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1HC2H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  ruichips
 ru1hc2h.pdf pdf_icon

RU1HC2H

RU1HC2HComplementary Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description N-Channel100V/3.5A,RDS (ON) =75m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel-100V/-2.5A,RDS (ON) =155m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =175m (Typ.) @ VGS=-4.5VSOP-8 Reliable and Rugged ESD Protected Lead Free and Green AvailableApplications Power Manag

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WMO9N65D1 | IXUN350N10 | NCE60N390K | AON6661 | SI1023CX | BLS65R560-D | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.