RU1HC2H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU1HC2H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 134 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для RU1HC2H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1HC2H даташит

 ..1. Size:354K  ruichips
 ru1hc2h.pdf pdf_icon

RU1HC2H

RU1HC2H Complementary Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description N-Channel 100V/3.5A, RDS (ON) =75m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel -100V/-2.5A, RDS (ON) =155m (Typ.) @ VGS=-10V RDS (ON) =175m (Typ.) @ VGS=-4.5V SOP-8 Reliable and Rugged ESD Protected Lead Free and Green Available Applications Power Manag

Другие IGBT... RU1H35S, RU1H36L, RU1H36R, RU1H36S, RU1H40L, RU1H60R, RU1H7H, RU1H80R, SKD502T, RU1HE12L, RU1HE16L, RU1HE3D, RU1HE3H, RU1HE4D, RU1HE4H, RU1HL13K, RU1HL13L