RU1HC2H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU1HC2H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 23 nC
Время нарастания (tr): 24 ns
Выходная емкость (Cd): 134 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
RU1HC2H Datasheet (PDF)
..1. Size:354K ruichips
ru1hc2h.pdf
ru1hc2h.pdf
RU1HC2HComplementary Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description N-Channel100V/3.5A,RDS (ON) =75m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel-100V/-2.5A,RDS (ON) =155m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =175m (Typ.) @ VGS=-4.5VSOP-8 Reliable and Rugged ESD Protected Lead Free and Green AvailableApplications Power Manag
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: MTD55N10Q8
