RU1HP55R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU1HP55R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 87 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 535 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: TO-220

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RU1HP55R datasheet

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RU1HP55R

RU1HP55R P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -100V/-55A, RDS (ON) =30m (Typ.)@VGS=-10V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO220 D Applications Inverters G S P

 9.1. Size:330K  ruichips
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RU1HP55R

RU1HP60R P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -100V/-60A, RDS (ON) =18m (Typ.)@VGS=-10V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO220 D Applications Inverters G S P

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