RU1HP55R Todos los transistores

 

RU1HP55R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU1HP55R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 87 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 535 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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RU1HP55R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  ruichips
 ru1hp55r.pdf pdf_icon

RU1HP55R

RU1HP55RP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -100V/-55A, RDS (ON) =30m(Typ.)@VGS=-10V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplicationsInvertersGSP

 9.1. Size:330K  ruichips
 ru1hp60r.pdf pdf_icon

RU1HP55R

RU1HP60RP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -100V/-60A, RDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=-10V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplicationsInvertersGSP

Otros transistores... RU1HE3D , RU1HE3H , RU1HE4D , RU1HE4H , RU1HL13K , RU1HL13L , RU1HL13R , RU1HL8L , IRFP450 , RU1HP60R , RU1J002YN , RU1Z120R , RU1Z200Q , RU20120L , RU20130L , RU2013H , RU2020H .

History: HSBA3115 | NCEP055N10 | RFP5P15 | HM60N05 | HSBA3050 | MTN8N65E3 | RFP15N12

 

 
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