RU1HP55R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU1HP55R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 535 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU1HP55R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1HP55R даташит

 ..1. Size:329K  ruichips
 ru1hp55r.pdf pdf_icon

RU1HP55R

RU1HP55R P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -100V/-55A, RDS (ON) =30m (Typ.)@VGS=-10V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO220 D Applications Inverters G S P

 9.1. Size:330K  ruichips
 ru1hp60r.pdf pdf_icon

RU1HP55R

RU1HP60R P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -100V/-60A, RDS (ON) =18m (Typ.)@VGS=-10V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO220 D Applications Inverters G S P

Другие IGBT... RU1HE3D, RU1HE3H, RU1HE4D, RU1HE4H, RU1HL13K, RU1HL13L, RU1HL13R, RU1HL8L, NCEP15T14, RU1HP60R, RU1J002YN, RU1Z120R, RU1Z200Q, RU20120L, RU20130L, RU2013H, RU2020H