Справочник MOSFET. RU1HP55R

 

RU1HP55R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU1HP55R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 535 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1HP55R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  ruichips
 ru1hp55r.pdf pdf_icon

RU1HP55R

RU1HP55RP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -100V/-55A, RDS (ON) =30m(Typ.)@VGS=-10V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplicationsInvertersGSP

 9.1. Size:330K  ruichips
 ru1hp60r.pdf pdf_icon

RU1HP55R

RU1HP60RP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -100V/-60A, RDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=-10V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplicationsInvertersGSP

Другие MOSFET... RU1HE3D , RU1HE3H , RU1HE4D , RU1HE4H , RU1HL13K , RU1HL13L , RU1HL13R , RU1HL8L , STP80NF70 , RU1HP60R , RU1J002YN , RU1Z120R , RU1Z200Q , RU20120L , RU20130L , RU2013H , RU2020H .

History: APQ04SN60CF | UPA1770 | KRF7703 | IXTH10N60 | RU1HL8L | TSM4946DCS | JFPC18N50C

 

 
Back to Top

 


 
.