RU1HP60R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU1HP60R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 615 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de RU1HP60R MOSFET
RU1HP60R Datasheet (PDF)
ru1hp60r.pdf

RU1HP60RP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -100V/-60A, RDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=-10V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplicationsInvertersGSP
ru1hp55r.pdf

RU1HP55RP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -100V/-55A, RDS (ON) =30m(Typ.)@VGS=-10V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplicationsInvertersGSP
Otros transistores... RU1HE3H , RU1HE4D , RU1HE4H , RU1HL13K , RU1HL13L , RU1HL13R , RU1HL8L , RU1HP55R , IRFP250 , RU1J002YN , RU1Z120R , RU1Z200Q , RU20120L , RU20130L , RU2013H , RU2020H , RU2021H .
History: RJK03F6DNS
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Liste
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