RU1HP60R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU1HP60R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 83 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для RU1HP60R
RU1HP60R Datasheet (PDF)
ru1hp60r.pdf

RU1HP60RP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -100V/-60A, RDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=-10V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplicationsInvertersGSP
ru1hp55r.pdf

RU1HP55RP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -100V/-55A, RDS (ON) =30m(Typ.)@VGS=-10V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplicationsInvertersGSP
Другие MOSFET... RU1HE3H , RU1HE4D , RU1HE4H , RU1HL13K , RU1HL13L , RU1HL13R , RU1HL8L , RU1HP55R , IRFP250 , RU1J002YN , RU1Z120R , RU1Z200Q , RU20120L , RU20130L , RU2013H , RU2020H , RU2021H .
History: IRF9630SPBF | RJK03E0DNS
History: IRF9630SPBF | RJK03E0DNS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement