Справочник MOSFET. RU1HP60R

 

RU1HP60R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU1HP60R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 83 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU1HP60R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1HP60R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:330K  ruichips
 ru1hp60r.pdf pdf_icon

RU1HP60R

RU1HP60RP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -100V/-60A, RDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=-10V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplicationsInvertersGSP

 9.1. Size:329K  ruichips
 ru1hp55r.pdf pdf_icon

RU1HP60R

RU1HP55RP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -100V/-55A, RDS (ON) =30m(Typ.)@VGS=-10V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplicationsInvertersGSP

Другие MOSFET... RU1HE3H , RU1HE4D , RU1HE4H , RU1HL13K , RU1HL13L , RU1HL13R , RU1HL8L , RU1HP55R , IRFP250 , RU1J002YN , RU1Z120R , RU1Z200Q , RU20120L , RU20130L , RU2013H , RU2020H , RU2021H .

History: RFP10N15 | 2SK1427 | AM7304N | NCEP6060GU | HY1607MF | UTT40P04 | SPP15N65C3

 

 
Back to Top

 


 
.