RU1J002YN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU1J002YN
   Código: QJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: UMT3F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU1J002YN

RU1J002YN Datasheet (PDF)

..1. Size:540K ruichips
ru1j002yn.pdf

RU1J002YN Nch 50V 200mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS50V(3) UMT3FRDS(on) (Max.)2.2WID (1) 200mA(2) PD150mWlFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(0.9V) makes this(1) Gate device ideal for partable equipment.(2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE

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History: NTD20P06LG

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: