RU1J002YN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU1J002YN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm

Encapsulados: UMT3F

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RU1J002YN datasheet

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RU1J002YN

RU1J002YN Nch 50V 200mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS 50V (3) UMT3F RDS(on) (Max.) 2.2W ID (1) 200mA (2) PD 150mW lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(0.9V) makes this (1) Gate device ideal for partable equipment. (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE

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