Справочник MOSFET. RU1J002YN

 

RU1J002YN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU1J002YN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: UMT3F
 

 Аналог (замена) для RU1J002YN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1J002YN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:540K  ruichips
 ru1j002yn.pdf pdf_icon

RU1J002YN

RU1J002YN Nch 50V 200mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS50V(3) UMT3FRDS(on) (Max.)2.2WID (1) 200mA(2) PD150mWlFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(0.9V) makes this(1) Gate device ideal for partable equipment.(2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE

Другие MOSFET... RU1HE4D , RU1HE4H , RU1HL13K , RU1HL13L , RU1HL13R , RU1HL8L , RU1HP55R , RU1HP60R , 20N50 , RU1Z120R , RU1Z200Q , RU20120L , RU20130L , RU2013H , RU2020H , RU2021H , RU205B .

History: TSM9409CS | NVMD3P03 | AP9938AGEY | IXFT16N120P | AP18T10GJ | SQ2348ES

 

 
Back to Top

 


 
.