RU1J002YN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU1J002YN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: UMT3F

Аналог (замена) для RU1J002YN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1J002YN даташит

 ..1. Size:540K  ruichips
 ru1j002yn.pdf pdf_icon

RU1J002YN

RU1J002YN Nch 50V 200mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS 50V (3) UMT3F RDS(on) (Max.) 2.2W ID (1) 200mA (2) PD 150mW lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(0.9V) makes this (1) Gate device ideal for partable equipment. (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE

Другие IGBT... RU1HE4D, RU1HE4H, RU1HL13K, RU1HL13L, RU1HL13R, RU1HL8L, RU1HP55R, RU1HP60R, STP80NF70, RU1Z120R, RU1Z200Q, RU20120L, RU20130L, RU2013H, RU2020H, RU2021H, RU205B