RU1Z120R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU1Z120R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1010 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de RU1Z120R MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RU1Z120R datasheet

 ..1. Size:447K  ruichips
ru1z120r.pdf pdf_icon

RU1Z120R

RU1Z120R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 150V/120A, RDS (ON) =11m (Typ.)@VGS=10V Reliable and Rugged 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S Applications TO220 High Speed Power Switching D D D D

Otros transistores... RU1HE4H, RU1HL13K, RU1HL13L, RU1HL13R, RU1HL8L, RU1HP55R, RU1HP60R, RU1J002YN, IRFP450, RU1Z200Q, RU20120L, RU20130L, RU2013H, RU2020H, RU2021H, RU205B, RU206G