RU1Z120R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU1Z120R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1010 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU1Z120R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1Z120R даташит

 ..1. Size:447K  ruichips
 ru1z120r.pdf pdf_icon

RU1Z120R

RU1Z120R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 150V/120A, RDS (ON) =11m (Typ.)@VGS=10V Reliable and Rugged 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S Applications TO220 High Speed Power Switching D D D D

Другие IGBT... RU1HE4H, RU1HL13K, RU1HL13L, RU1HL13R, RU1HL8L, RU1HP55R, RU1HP60R, RU1J002YN, IRFP450, RU1Z200Q, RU20120L, RU20130L, RU2013H, RU2020H, RU2021H, RU205B, RU206G