RU1Z120R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU1Z120R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1010 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для RU1Z120R
RU1Z120R Datasheet (PDF)
ru1z120r.pdf

RU1Z120RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 150V/120A, RDS (ON) =11m(Typ.)@VGS=10V Reliable and Rugged 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSApplicationsTO220 High Speed Power SwitchingDDDD
Другие MOSFET... RU1HE4H , RU1HL13K , RU1HL13L , RU1HL13R , RU1HL8L , RU1HP55R , RU1HP60R , RU1J002YN , 20N50 , RU1Z200Q , RU20120L , RU20130L , RU2013H , RU2020H , RU2021H , RU205B , RU206G .
History: EKG1020 | PMZ390UNE | RU1HP60R
History: EKG1020 | PMZ390UNE | RU1HP60R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023