Справочник MOSFET. RU1Z120R

 

RU1Z120R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU1Z120R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1010 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU1Z120R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1Z120R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:447K  ruichips
 ru1z120r.pdf pdf_icon

RU1Z120R

RU1Z120RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 150V/120A, RDS (ON) =11m(Typ.)@VGS=10V Reliable and Rugged 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSApplicationsTO220 High Speed Power SwitchingDDDD

Другие MOSFET... RU1HE4H , RU1HL13K , RU1HL13L , RU1HL13R , RU1HL8L , RU1HP55R , RU1HP60R , RU1J002YN , IRF1407 , RU1Z200Q , RU20120L , RU20130L , RU2013H , RU2020H , RU2021H , RU205B , RU206G .

History: FDD86367F085 | BRCS080N02ZJ | SQ2337ES | AON7518 | 2SK346 | JCS12N65CEI | AP6901GSM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.