RU1Z200Q Todos los transistores

 

RU1Z200Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU1Z200Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 205 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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RU1Z200Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  ruichips
 ru1z200q.pdf pdf_icon

RU1Z200Q

RU1Z200QN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 150V/200A, RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO247DD

Otros transistores... RU1HL13K , RU1HL13L , RU1HL13R , RU1HL8L , RU1HP55R , RU1HP60R , RU1J002YN , RU1Z120R , IRFZ24N , RU20120L , RU20130L , RU2013H , RU2020H , RU2021H , RU205B , RU206G , RU2090M .

History: P5010AV | 6N65KL-TN3-R | SI7224DN | STP35NF10 | STW13N80K5 | TPU65R360M

 

 
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