RU1Z200Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU1Z200Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 600 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 200 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 90 nC
Tiempo de subida (tr): 205 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1420 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU1Z200Q
RU1Z200Q Datasheet (PDF)
..1. Size:381K ruichips
ru1z200q.pdf
ru1z200q.pdf
RU1Z200QN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 150V/200A, RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO247DD
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
