RU1Z200Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU1Z200Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 205 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO-247

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RU1Z200Q datasheet

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RU1Z200Q

RU1Z200Q N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 150V/200A, RDS (ON) =5.5m (Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO247 D D

Otros transistores... RU1HL13K, RU1HL13L, RU1HL13R, RU1HL8L, RU1HP55R, RU1HP60R, RU1J002YN, RU1Z120R, TK10A60D, RU20120L, RU20130L, RU2013H, RU2020H, RU2021H, RU205B, RU206G, RU2090M