RU1Z200Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU1Z200Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 205 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для RU1Z200Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1Z200Q даташит

 ..1. Size:381K  ruichips
 ru1z200q.pdf pdf_icon

RU1Z200Q

RU1Z200Q N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 150V/200A, RDS (ON) =5.5m (Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO247 D D

Другие IGBT... RU1HL13K, RU1HL13L, RU1HL13R, RU1HL8L, RU1HP55R, RU1HP60R, RU1J002YN, RU1Z120R, TK10A60D, RU20120L, RU20130L, RU2013H, RU2020H, RU2021H, RU205B, RU206G, RU2090M