RU1Z200Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU1Z200Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 600 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 200 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 90 nC
Время нарастания (tr): 205 ns
Выходная емкость (Cd): 1420 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-247
RU1Z200Q Datasheet (PDF)
..1. Size:381K ruichips
ru1z200q.pdf
ru1z200q.pdf
RU1Z200QN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 150V/200A, RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO247DD
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
