Справочник MOSFET. RU1Z200Q

 

RU1Z200Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU1Z200Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 205 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для RU1Z200Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1Z200Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  ruichips
 ru1z200q.pdf pdf_icon

RU1Z200Q

RU1Z200QN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 150V/200A, RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO247DD

Другие MOSFET... RU1HL13K , RU1HL13L , RU1HL13R , RU1HL8L , RU1HP55R , RU1HP60R , RU1J002YN , RU1Z120R , IRFZ24N , RU20120L , RU20130L , RU2013H , RU2020H , RU2021H , RU205B , RU206G , RU2090M .

History: STP35NF10 | AFN3424 | 6N65KL-TN3-R | SI7224DN | LNH04R050 | TPU65R360M | PSMN5R2-60YL

 

 
Back to Top

 


 
.