Справочник MOSFET. RU1Z200Q

 

RU1Z200Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RU1Z200Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 205 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для RU1Z200Q

 

 

RU1Z200Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  ruichips
 ru1z200q.pdf

RU1Z200Q RU1Z200Q

RU1Z200QN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 150V/200A, RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO247DD

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top