RU2020H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU2020H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1530 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RU2020H datasheet

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RU2020H

RU2020H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 20V/20A, RDS (ON) =3.5m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =3.8m (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =5.6m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Low RDS(ON) Reliable and Rugged SOP-8 Lead Free and Green Available Applications DC/DC Converter N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings

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RU2020H

RU2021H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 20V/20A, RDS (ON) =4m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Low RDS(ON) Reliable and Rugged SOP-8 Lead Free and Green Available Applications DC/DC Converter N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Rat

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