RU2020H Todos los transistores

 

RU2020H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU2020H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1530 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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RU2020H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  ruichips
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RU2020H

RU2020HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/20A,RDS (ON) =3.5m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =3.8m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =5.6m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Low RDS(ON) Reliable and RuggedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications DC/DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings

 9.1. Size:269K  ruichips
 ru2021h.pdf pdf_icon

RU2020H

RU2021HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/20A,RDS (ON) =4m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Low RDS(ON) Reliable and RuggedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications DC/DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Rat

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History: 2SK4090-S27-AY | NCE50NF600I | BUK9Y4R4-40E | MMIX1F360N15T2 | TK16V60W | 2N6917 | DKI06186

 

 
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