RU2020H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU2020H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1530 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
RU2020H Datasheet (PDF)
ru2020h.pdf
RU2020HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/20A,RDS (ON) =3.5m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =3.8m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =5.6m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Low RDS(ON) Reliable and RuggedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications DC/DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings
ru2021h.pdf
RU2021HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/20A,RDS (ON) =4m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Low RDS(ON) Reliable and RuggedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications DC/DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Rat
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: HGI110N08A
History: HGI110N08A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918