Справочник MOSFET. RU2020H

 

RU2020H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RU2020H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 53 nC
   Время нарастания (tr): 25 ns
   Выходная емкость (Cd): 1530 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для RU2020H

 

 

RU2020H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  ruichips
 ru2020h.pdf

RU2020H RU2020H

RU2020HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/20A,RDS (ON) =3.5m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =3.8m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =5.6m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Low RDS(ON) Reliable and RuggedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications DC/DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings

 9.1. Size:269K  ruichips
 ru2021h.pdf

RU2020H RU2020H

RU2021HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/20A,RDS (ON) =4m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Low RDS(ON) Reliable and RuggedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications DC/DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Rat

Другие MOSFET... RU1HP55R , RU1HP60R , RU1J002YN , RU1Z120R , RU1Z200Q , RU20120L , RU20130L , RU2013H , NCES120R062T4 , RU2021H , RU205B , RU206G , RU2090M , RU20D10H , RU20E60L , RU20E8H , RU20P18L .

 

 
Back to Top