Справочник MOSFET. RU2020H

 

RU2020H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU2020H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1530 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для RU2020H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU2020H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  ruichips
 ru2020h.pdf pdf_icon

RU2020H

RU2020HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/20A,RDS (ON) =3.5m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =3.8m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =5.6m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Low RDS(ON) Reliable and RuggedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications DC/DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings

 9.1. Size:269K  ruichips
 ru2021h.pdf pdf_icon

RU2020H

RU2021HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/20A,RDS (ON) =4m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Low RDS(ON) Reliable and RuggedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications DC/DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Rat

Другие MOSFET... RU1HP55R , RU1HP60R , RU1J002YN , RU1Z120R , RU1Z200Q , RU20120L , RU20130L , RU2013H , STF13NM60N , RU2021H , RU205B , RU206G , RU2090M , RU20D10H , RU20E60L , RU20E8H , RU20P18L .

History: JCS7N65CE | PTD3006 | BUK9K8R7-40E | ECH8305 | AM4910N | ET6300 | HM25P15K

 

 
Back to Top

 


 
.