RU2090M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU2090M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 62 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 820 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5060
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU2090M
RU2090M Datasheet (PDF)
ru2090m.pdf
RU2090M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 20V/99A, RDS (ON) =2.3m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =4m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Rectification Switching Application N-Channel MOSFET
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History: 2N80G-TND-R
History: 2N80G-TND-R
Liste
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