RU2090M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU2090M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 820 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: PDFN5060

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RU2090M datasheet

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RU2090M

RU2090M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 20V/99A, RDS (ON) =2.3m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =4m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Rectification Switching Application N-Channel MOSFET

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