RU2090M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU2090M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 4.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 26 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 62 nC
Tiempo de subida (tr): 37 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 820 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5060
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU2090M
RU2090M Datasheet (PDF)
ru2090m.pdf
RU2090M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 20V/99A, RDS (ON) =2.3m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =4m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Rectification Switching Application N-Channel MOSFET
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