RU2090M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU2090M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060

Аналог (замена) для RU2090M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU2090M даташит

 ..1. Size:307K  ruichips
 ru2090m.pdf pdf_icon

RU2090M

RU2090M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 20V/99A, RDS (ON) =2.3m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =4m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Rectification Switching Application N-Channel MOSFET

Другие IGBT... RU1Z200Q, RU20120L, RU20130L, RU2013H, RU2020H, RU2021H, RU205B, RU206G, 5N60, RU20D10H, RU20E60L, RU20E8H, RU20P18L, RU20P2B, RU20P3B, RU20P4C, RU20P5E