Справочник MOSFET. RU2090M

 

RU2090M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU2090M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060
 

 Аналог (замена) для RU2090M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU2090M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  ruichips
 ru2090m.pdf pdf_icon

RU2090M

RU2090M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 20V/99A, RDS (ON) =2.3m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =4m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Rectification Switching Application N-Channel MOSFET

Другие MOSFET... RU1Z200Q , RU20120L , RU20130L , RU2013H , RU2020H , RU2021H , RU205B , RU206G , 13N50 , RU20D10H , RU20E60L , RU20E8H , RU20P18L , RU20P2B , RU20P3B , RU20P4C , RU20P5E .

History: NTMFD5C650NL | LBSS138LT1G | 10N60G-TF1-T | NTD15N06L-001 | FCP099N65S3 | STP2N62K3

 

 
Back to Top

 


 
.