RU20D10H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU20D10H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de RU20D10H MOSFET
RU20D10H Datasheet (PDF)
ru20d10h.pdf

RU20D10HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/10A,RDS (ON) =13m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications SMPSDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unles
Otros transistores... RU20120L , RU20130L , RU2013H , RU2020H , RU2021H , RU205B , RU206G , RU2090M , SKD502T , RU20E60L , RU20E8H , RU20P18L , RU20P2B , RU20P3B , RU20P4C , RU20P5E , RU20T7G .
History: AP6N2R0CDT | PMV50XP | NCEP4045GU | AP40P03GH | H5N60U | NTLJS17D0P03P8Z | IPB100N06S3-04
History: AP6N2R0CDT | PMV50XP | NCEP4045GU | AP40P03GH | H5N60U | NTLJS17D0P03P8Z | IPB100N06S3-04



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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