Справочник MOSFET. RU20D10H

 

RU20D10H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU20D10H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для RU20D10H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU20D10H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  ruichips
 ru20d10h.pdf pdf_icon

RU20D10H

RU20D10HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/10A,RDS (ON) =13m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications SMPSDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unles

Другие MOSFET... RU20120L , RU20130L , RU2013H , RU2020H , RU2021H , RU205B , RU206G , RU2090M , SKD502T , RU20E60L , RU20E8H , RU20P18L , RU20P2B , RU20P3B , RU20P4C , RU20P5E , RU20T7G .

History: 10N60G-T2Q-T | WMP08N70C4

 

 
Back to Top

 


 
.