RU20D10H - описание и поиск аналогов

 

Аналоги RU20D10H. Основные параметры


   Наименование производителя: RU20D10H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для RU20D10H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU20D10H даташит

 ..1. Size:266K  ruichips
 ru20d10h.pdf pdf_icon

RU20D10H

RU20D10H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 20V/10A, RDS (ON) =13m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Available SOP-8 Applications SMPS Dual N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA=25 C Unles

Другие MOSFET... RU20120L , RU20130L , RU2013H , RU2020H , RU2021H , RU205B , RU206G , RU2090M , RFP50N06 , RU20E60L , RU20E8H , RU20P18L , RU20P2B , RU20P3B , RU20P4C , RU20P5E , RU20T7G .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.