RU20T8M7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU20T8M7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: SDFN2050

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RU20T8M7 datasheet

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RU20T8M7

RU20T8M7 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 20V/8A, G2 S2 RDS (ON) =13m (Typ.)@VGS=4.5V S2 RDS (ON) =14m (Typ.)@VGS=4V RDS (ON) =16m (Typ.)@VGS=3.1V RDS (ON) =18m (Typ.)@VGS=2.5V D1/D2 Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed ESD Protected G1 S1S1 PIN1 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Availab

 9.1. Size:251K  ruichips
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RU20T8M7

RU20T7G N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 20V/7A, RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged TSSOP-8 ESD Protected Lead Free and Green Available Applications PWM Applications Dual N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit

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