RU20T8M7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU20T8M7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SDFN2050

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU20T8M7

RU20T8M7 Datasheet (PDF)

..1. Size:328K ruichips
ru20t8m7.pdf

RU20T8M7N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/8A,G2S2 RDS (ON) =13m(Typ.)@VGS=4.5VS2 RDS (ON) =14m(Typ.)@VGS=4V RDS (ON) =16m(Typ.)@VGS=3.1V RDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=2.5VD1/D2 Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed ESD Protected G1S1S1PIN1 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Availab

9.1. Size:251K ruichips
ru20t7g.pdf

RU20T7GN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/7A,RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedTSSOP-8 ESD Protected Lead Free and Green AvailableApplications PWM ApplicationsDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating Unit

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Liste

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