RU20T8M7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU20T8M7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SDFN2050

Аналог (замена) для RU20T8M7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU20T8M7 даташит

 ..1. Size:328K  ruichips
 ru20t8m7.pdf pdf_icon

RU20T8M7

RU20T8M7 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 20V/8A, G2 S2 RDS (ON) =13m (Typ.)@VGS=4.5V S2 RDS (ON) =14m (Typ.)@VGS=4V RDS (ON) =16m (Typ.)@VGS=3.1V RDS (ON) =18m (Typ.)@VGS=2.5V D1/D2 Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed ESD Protected G1 S1S1 PIN1 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Availab

 9.1. Size:251K  ruichips
 ru20t7g.pdf pdf_icon

RU20T8M7

RU20T7G N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 20V/7A, RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged TSSOP-8 ESD Protected Lead Free and Green Available Applications PWM Applications Dual N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit

Другие IGBT... RU20E60L, RU20E8H, RU20P18L, RU20P2B, RU20P3B, RU20P4C, RU20P5E, RU20T7G, 2N60, RU2520H, RU2560L, RU2568L, RU2H30Q, RU2H30R, RU2H30S, RU2H50Q, RU2H50R