Справочник MOSFET. RU20T8M7

 

RU20T8M7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU20T8M7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SDFN2050
 

 Аналог (замена) для RU20T8M7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU20T8M7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  ruichips
 ru20t8m7.pdf pdf_icon

RU20T8M7

RU20T8M7N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/8A,G2S2 RDS (ON) =13m(Typ.)@VGS=4.5VS2 RDS (ON) =14m(Typ.)@VGS=4V RDS (ON) =16m(Typ.)@VGS=3.1V RDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=2.5VD1/D2 Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed ESD Protected G1S1S1PIN1 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Availab

 9.1. Size:251K  ruichips
 ru20t7g.pdf pdf_icon

RU20T8M7

RU20T7GN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/7A,RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedTSSOP-8 ESD Protected Lead Free and Green AvailableApplications PWM ApplicationsDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating Unit

Другие MOSFET... RU20E60L , RU20E8H , RU20P18L , RU20P2B , RU20P3B , RU20P4C , RU20P5E , RU20T7G , IRF830 , RU2520H , RU2560L , RU2568L , RU2H30Q , RU2H30R , RU2H30S , RU2H50Q , RU2H50R .

History: SM1A00NSG | PSMN017-30EL | XN0NE92 | HAT2292C | STB11NK40Z | STB11NM80T4 | NCEP85T15

 

 
Back to Top

 


 
.