RU2520H Todos los transistores

 

RU2520H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU2520H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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RU2520H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  ruichips
 ru2520h.pdf pdf_icon

RU2520H

RU2520HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 25V/13A,RDS (ON) =9m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =14.5m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche testedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management in NotebookComputer, and DC-DC Converters inNet

Otros transistores... RU20E8H , RU20P18L , RU20P2B , RU20P3B , RU20P4C , RU20P5E , RU20T7G , RU20T8M7 , K2611 , RU2560L , RU2568L , RU2H30Q , RU2H30R , RU2H30S , RU2H50Q , RU2H50R , RU2H50S .

History: TPC8211 | UPA1720 | 2SK2488 | R8002ANX | GSM4998W | PTA16N65 | SQM200N04-1M1L

 

 
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