RU2520H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU2520H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.7 V
   Carga de la puerta (Qg): 19 nC
   Tiempo de subida (tr): 18 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 160 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU2520H

RU2520H Datasheet (PDF)

..1. Size:310K ruichips
ru2520h.pdf

RU2520HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 25V/13A,RDS (ON) =9m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =14.5m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche testedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management in NotebookComputer, and DC-DC Converters inNet

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Liste

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