RU2520H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU2520H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de RU2520H MOSFET
RU2520H Datasheet (PDF)
ru2520h.pdf

RU2520HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 25V/13A,RDS (ON) =9m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =14.5m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche testedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management in NotebookComputer, and DC-DC Converters inNet
Otros transistores... RU20E8H , RU20P18L , RU20P2B , RU20P3B , RU20P4C , RU20P5E , RU20T7G , RU20T8M7 , K2611 , RU2560L , RU2568L , RU2H30Q , RU2H30R , RU2H30S , RU2H50Q , RU2H50R , RU2H50S .
History: SQM110N06-04L | F7F60C3M | SSM3K336R | RSD160P05 | SVS80R800DE3TR | UT6898 | BRCS080N04ZC
History: SQM110N06-04L | F7F60C3M | SSM3K336R | RSD160P05 | SVS80R800DE3TR | UT6898 | BRCS080N04ZC



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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