RU2520H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU2520H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для RU2520H
RU2520H Datasheet (PDF)
ru2520h.pdf

RU2520HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 25V/13A,RDS (ON) =9m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =14.5m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche testedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management in NotebookComputer, and DC-DC Converters inNet
Другие MOSFET... RU20E8H , RU20P18L , RU20P2B , RU20P3B , RU20P4C , RU20P5E , RU20T7G , RU20T8M7 , IRFB31N20D , RU2560L , RU2568L , RU2H30Q , RU2H30R , RU2H30S , RU2H50Q , RU2H50R , RU2H50S .
History: RU2560L | AP9412AGH | NCE65N680I | RU20T8M7 | RU20P3B | BUK9Y19-100E | RU20T7G
History: RU2560L | AP9412AGH | NCE65N680I | RU20T8M7 | RU20P3B | BUK9Y19-100E | RU20T7G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor