RU2520H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU2520H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для RU2520H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU2520H даташит

 ..1. Size:310K  ruichips
 ru2520h.pdf pdf_icon

RU2520H

RU2520H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 25V/13A, RDS (ON) =9m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =14.5m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested SOP-8 Lead Free and Green Available Applications Power Management in Notebook Computer, and DC-DC Converters in Net

Другие IGBT... RU20E8H, RU20P18L, RU20P2B, RU20P3B, RU20P4C, RU20P5E, RU20T7G, RU20T8M7, 8N60, RU2560L, RU2568L, RU2H30Q, RU2H30R, RU2H30S, RU2H50Q, RU2H50R, RU2H50S