RU2560L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU2560L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU2560L
RU2560L Datasheet (PDF)
ru2560l.pdf
RU2560LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 25V/55A,RDS (ON) =8m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =12m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management in DesktopComputer, Portable Equipm
ru2568l.pdf
RU2568LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 25V/60A,RDS (ON) =4m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche testedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC/DC Converters Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918