RU2560L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU2560L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO-252

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RU2560L datasheet

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RU2560L

RU2560L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 25V/55A, RDS (ON) =8m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =12m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management in Desktop Computer, Portable Equipm

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RU2560L

RU2568L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 25V/60A, RDS (ON) =4m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested TO252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Converters Power Management N-Channel MOSFET Absolute Maximum

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