RU2560L Todos los transistores

 

RU2560L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU2560L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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RU2560L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:298K  ruichips
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RU2560L

RU2560LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 25V/55A,RDS (ON) =8m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =12m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management in DesktopComputer, Portable Equipm

 9.1. Size:292K  ruichips
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RU2560L

RU2568LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 25V/60A,RDS (ON) =4m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche testedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC/DC Converters Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

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History: AO4406 | R6020ENZ1 | R6011ENX | NCEP025N12LL | IRHM7130 | SQM50N04-4M1 | HIRF630

 

 
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