RU2560L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU2560L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RU2560L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU2560L даташит

 ..1. Size:298K  ruichips
 ru2560l.pdf pdf_icon

RU2560L

RU2560L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 25V/55A, RDS (ON) =8m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =12m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management in Desktop Computer, Portable Equipm

 9.1. Size:292K  ruichips
 ru2568l.pdf pdf_icon

RU2560L

RU2568L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 25V/60A, RDS (ON) =4m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested TO252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Converters Power Management N-Channel MOSFET Absolute Maximum

Другие IGBT... RU20P18L, RU20P2B, RU20P3B, RU20P4C, RU20P5E, RU20T7G, RU20T8M7, RU2520H, P60NF06, RU2568L, RU2H30Q, RU2H30R, RU2H30S, RU2H50Q, RU2H50R, RU2H50S, RU2HE2D