RU2560L - аналоги и даташиты транзистора

 

RU2560L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU2560L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RU2560L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU2560L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:298K  ruichips
 ru2560l.pdf pdf_icon

RU2560L

RU2560LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 25V/55A,RDS (ON) =8m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =12m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management in DesktopComputer, Portable Equipm

 9.1. Size:292K  ruichips
 ru2568l.pdf pdf_icon

RU2560L

RU2568LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 25V/60A,RDS (ON) =4m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche testedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC/DC Converters Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

Другие MOSFET... RU20P18L , RU20P2B , RU20P3B , RU20P4C , RU20P5E , RU20T7G , RU20T8M7 , RU2520H , MMIS60R580P , RU2568L , RU2H30Q , RU2H30R , RU2H30S , RU2H50Q , RU2H50R , RU2H50S , RU2HE2D .

History: RU2H30Q | RU20T7G | AP9412AGH | NCE65N680I | RU20T8M7 | RU20P3B

 

 
Back to Top

 


 
.