IRFS832 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFS832
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFS832
IRFS832 Datasheet (PDF)
irf830b irfs830b.pdf
November 2001IRF830B/IRFS830B500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.5A, 500V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 27 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 17 pF)This advanced technology has been especially tailored to
irfs830a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3.1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) : 1.169 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic V
irfs830.pdf
IRFS830 Rev.E Dec.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency
Otros transistores... IRFS820 , IRFS820A , IRFS821 , IRFS822 , IRFS823 , IRFS830 , IRFS830A , IRFS831 , AO4468 , IRFS833 , IRFS840 , IRFS840A , IRFS841 , IRFS842 , IRFS843 , IRFS9130 , IRFS9131 .
Liste
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