IRFS832 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFS832

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de IRFS832 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRFS832 datasheet

 ..1. Size:308K  1
 irfs830 irfs831 irfs832 irfs833.pdf pdf_icon

IRFS832

 8.1. Size:284K  1
 irfs830 irfs831.pdf pdf_icon

IRFS832

 8.2. Size:888K  fairchild semi
 irf830b irfs830b.pdf pdf_icon

IRFS832

 8.3. Size:499K  samsung
 irfs830a.pdf pdf_icon

IRFS832

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3.1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) 1.169 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFS820, IRFS820A, IRFS821, IRFS822, IRFS823, IRFS830, IRFS830A, IRFS831, IRFB7545, IRFS833, IRFS840, IRFS840A, IRFS841, IRFS842, IRFS843, IRFS9130, IRFS9131