IRFS832 - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFS832 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFS832
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS832

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS832 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  1
 irfs830 irfs831 irfs832 irfs833.pdf pdf_icon

IRFS832

 8.1. Size:284K  1
 irfs830 irfs831.pdf pdf_icon

IRFS832

 8.2. Size:888K  fairchild semi
 irf830b irfs830b.pdf pdf_icon

IRFS832

November 2001IRF830B/IRFS830B500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.5A, 500V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 27 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 17 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 8.3. Size:499K  samsung
 irfs830a.pdf pdf_icon

IRFS832

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3.1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) : 1.169 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS820 , IRFS820A , IRFS821 , IRFS822 , IRFS823 , IRFS830 , IRFS830A , IRFS831 , 8N60 , IRFS833 , IRFS840 , IRFS840A , IRFS841 , IRFS842 , IRFS843 , IRFS9130 , IRFS9131 .

History: P0703ED | P06P03LDG

 

 
Back to Top

 


 
.