RU2H30S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU2H30S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 176 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 116 nC
Tiempo de subida (tr): 48 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 308 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU2H30S
RU2H30S Datasheet (PDF)
ru2h30s.pdf
RU2H30SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 200V/30A, RDS (ON) =75m(Typ.) @ VGS=10VD Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableGSTO220DApplications Switching Application Systems UPSGSN-Channel MOSFETAbsolute
ru2h30q.pdf
RU2H30QN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/30A,RDS (ON) =75m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureTO-247 Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems DC/DC ConvertersN-Channel MOSFETAbs
ru2h30r.pdf
RU2H30RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 200V/30A, RDS (ON) =75m(Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableGDSTO220DApplications Switching Application Systems UPSGSN-Channel MOSFETAbsolute
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