RU2H30S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU2H30S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 176 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 116 nC
Время нарастания (tr): 48 ns
Выходная емкость (Cd): 308 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm
Тип корпуса: TO-220
RU2H30S Datasheet (PDF)
ru2h30s.pdf
RU2H30SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 200V/30A, RDS (ON) =75m(Typ.) @ VGS=10VD Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableGSTO220DApplications Switching Application Systems UPSGSN-Channel MOSFETAbsolute
ru2h30q.pdf
RU2H30QN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/30A,RDS (ON) =75m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureTO-247 Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems DC/DC ConvertersN-Channel MOSFETAbs
ru2h30r.pdf
RU2H30RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 200V/30A, RDS (ON) =75m(Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableGDSTO220DApplications Switching Application Systems UPSGSN-Channel MOSFETAbsolute
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
