RU2HE2D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU2HE2D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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RU2HE2D datasheet

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RU2HE2D

RU2HE2D N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 200V/1.2A, RDS (ON) =0.95 (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =1 (Typ.) @ VGS=4.5V ESD Protected Reliable and Rugged SOT-223 Fast Switching Lead Free and Green Available Applications Power Management DC-DC Converter N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating U

 9.1. Size:289K  ruichips
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RU2HE2D

RU2HE5L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 200V/4.2A, RDS (ON) =1 (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =1.1 (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum

Otros transistores... RU2560L, RU2568L, RU2H30Q, RU2H30R, RU2H30S, RU2H50Q, RU2H50R, RU2H50S, IRFZ46N, RU2HE5L, RU30100L, RU30100R, RU30105L, RU30105R, RU30106L, RU3010H, RU30120L