Справочник MOSFET. RU2HE2D

 

RU2HE2D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU2HE2D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU2HE2D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  ruichips
 ru2he2d.pdf pdf_icon

RU2HE2D

RU2HE2DN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/1.2A,RDS (ON) =0.95 (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =1 (Typ.) @ VGS=4.5V ESD Protected Reliable and RuggedSOT-223 Fast Switching Lead Free and Green AvailableApplications Power Management DC-DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating U

 9.1. Size:289K  ruichips
 ru2he5l.pdf pdf_icon

RU2HE2D

RU2HE5LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/4.2A,RDS (ON) =1(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =1.1(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC/DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: WMN25N50C4 | SLD70R900S2 | STP45NF06 | SSM40P03GJ | PE5B5DX | 2SK1053 | STP5NK80Z

 

 
Back to Top

 


 
.