Справочник MOSFET. RU2HE2D

 

RU2HE2D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU2HE2D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для RU2HE2D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU2HE2D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  ruichips
 ru2he2d.pdf pdf_icon

RU2HE2D

RU2HE2DN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/1.2A,RDS (ON) =0.95 (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =1 (Typ.) @ VGS=4.5V ESD Protected Reliable and RuggedSOT-223 Fast Switching Lead Free and Green AvailableApplications Power Management DC-DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating U

 9.1. Size:289K  ruichips
 ru2he5l.pdf pdf_icon

RU2HE2D

RU2HE5LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/4.2A,RDS (ON) =1(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =1.1(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC/DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

Другие MOSFET... RU2560L , RU2568L , RU2H30Q , RU2H30R , RU2H30S , RU2H50Q , RU2H50R , RU2H50S , STP65NF06 , RU2HE5L , RU30100L , RU30100R , RU30105L , RU30105R , RU30106L , RU3010H , RU30120L .

History: OSG90R250HF | SM6A24NSUB | VB7638 | SSF3N80D | ELM34812AA | STP13N60M2 | BRF5N60

 

 
Back to Top

 


 
.