RU2HE2D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU2HE2D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для RU2HE2D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU2HE2D даташит

 ..1. Size:251K  ruichips
 ru2he2d.pdf pdf_icon

RU2HE2D

RU2HE2D N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 200V/1.2A, RDS (ON) =0.95 (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =1 (Typ.) @ VGS=4.5V ESD Protected Reliable and Rugged SOT-223 Fast Switching Lead Free and Green Available Applications Power Management DC-DC Converter N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating U

 9.1. Size:289K  ruichips
 ru2he5l.pdf pdf_icon

RU2HE2D

RU2HE5L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 200V/4.2A, RDS (ON) =1 (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =1.1 (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum

Другие IGBT... RU2560L, RU2568L, RU2H30Q, RU2H30R, RU2H30S, RU2H50Q, RU2H50R, RU2H50S, IRFZ46N, RU2HE5L, RU30100L, RU30100R, RU30105L, RU30105R, RU30106L, RU3010H, RU30120L