Справочник MOSFET. RU2HE2D

 

RU2HE2D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RU2HE2D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
   Время нарастания (tr): 16 ns
   Выходная емкость (Cd): 42 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223

 Аналог (замена) для RU2HE2D

 

 

RU2HE2D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  ruichips
 ru2he2d.pdf

RU2HE2D RU2HE2D

RU2HE2DN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/1.2A,RDS (ON) =0.95 (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =1 (Typ.) @ VGS=4.5V ESD Protected Reliable and RuggedSOT-223 Fast Switching Lead Free and Green AvailableApplications Power Management DC-DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating U

 9.1. Size:289K  ruichips
 ru2he5l.pdf

RU2HE2D RU2HE2D

RU2HE5LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/4.2A,RDS (ON) =1(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =1.1(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC/DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top