RU2HE5L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU2HE5L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU2HE5L
RU2HE5L Datasheet (PDF)
ru2he5l.pdf
RU2HE5LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/4.2A,RDS (ON) =1(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =1.1(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC/DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum
ru2he2d.pdf
RU2HE2DN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/1.2A,RDS (ON) =0.95 (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =1 (Typ.) @ VGS=4.5V ESD Protected Reliable and RuggedSOT-223 Fast Switching Lead Free and Green AvailableApplications Power Management DC-DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating U
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History: APT1201R5SVFR
History: APT1201R5SVFR
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