RU2HE5L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU2HE5L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Encapsulados: TO-252
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RU2HE5L datasheet
ru2he5l.pdf
RU2HE5L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 200V/4.2A, RDS (ON) =1 (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =1.1 (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum
ru2he2d.pdf
RU2HE2D N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 200V/1.2A, RDS (ON) =0.95 (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =1 (Typ.) @ VGS=4.5V ESD Protected Reliable and Rugged SOT-223 Fast Switching Lead Free and Green Available Applications Power Management DC-DC Converter N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating U
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Liste
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