RU2HE5L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU2HE5L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для RU2HE5L
RU2HE5L Datasheet (PDF)
ru2he5l.pdf

RU2HE5LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/4.2A,RDS (ON) =1(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =1.1(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC/DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum
ru2he2d.pdf

RU2HE2DN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 200V/1.2A,RDS (ON) =0.95 (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =1 (Typ.) @ VGS=4.5V ESD Protected Reliable and RuggedSOT-223 Fast Switching Lead Free and Green AvailableApplications Power Management DC-DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating U
Другие MOSFET... RU2568L , RU2H30Q , RU2H30R , RU2H30S , RU2H50Q , RU2H50R , RU2H50S , RU2HE2D , IRF1405 , RU30100L , RU30100R , RU30105L , RU30105R , RU30106L , RU3010H , RU30120L , RU30120S .
History: R6547ENZ1 | NTD20N06-001 | IRFPC40 | OSG90R1K2FF | AP30T10GS-HF | LNH05R155
History: R6547ENZ1 | NTD20N06-001 | IRFPC40 | OSG90R1K2FF | AP30T10GS-HF | LNH05R155



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet