RU30291R Todos los transistores

 

RU30291R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU30291R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 290 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1010 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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RU30291R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  ruichips
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RU30291R

RU30291RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/290A,RDS (ON) =1.8m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =2.6m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications

 8.1. Size:303K  ruichips
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RU30291R

RU30290RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/290A,RDS (ON) =1.8m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximu

 9.1. Size:301K  ruichips
 ru30230r.pdf pdf_icon

RU30291R

RU30230RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/230A,RDS (ON) =2m (Typ.) @ VGS=10V,IDS=75ARDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=4.5V,IDS=60A Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche testedTO-220 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications DC/DC Converters

 9.2. Size:291K  ruichips
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RU30291R

RU3020LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/20A,RDS (ON) =15 m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =25 m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSym

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History: NTJS4405N | WSD2012DN25 | WMT04N10TS

 

 
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