RU30291R MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

RU30291R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU30291R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 290 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1010 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: TO-220

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RU30291R datasheet

..1. Size:306K ruichips
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RU30291R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/290A, RDS (ON) =1.8m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =2.6m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications

8.1. Size:303K ruichips
ru30290r.pdf pdf_icon

RU30290R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/290A, RDS (ON) =1.8m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications N-Channel MOSFET Absolute Maximu

9.1. Size:301K ruichips
ru30230r.pdf pdf_icon

RU30230R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/230A, RDS (ON) =2m (Typ.) @ VGS=10V,IDS=75A RDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=4.5V,IDS=60A Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested TO-220 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications DC/DC Converters

9.2. Size:291K ruichips
ru3020l.pdf pdf_icon

RU3020L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/20A, RDS (ON) =15 m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =25 m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Sym

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