RU30291R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU30291R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 290 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1010 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU30291R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30291R даташит

 ..1. Size:306K  ruichips
 ru30291r.pdf pdf_icon

RU30291R

RU30291R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/290A, RDS (ON) =1.8m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =2.6m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications

 8.1. Size:303K  ruichips
 ru30290r.pdf pdf_icon

RU30291R

RU30290R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/290A, RDS (ON) =1.8m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications N-Channel MOSFET Absolute Maximu

 9.1. Size:301K  ruichips
 ru30230r.pdf pdf_icon

RU30291R

RU30230R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/230A, RDS (ON) =2m (Typ.) @ VGS=10V,IDS=75A RDS (ON) =2.5m (Typ.) @ VGS=4.5V,IDS=60A Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested TO-220 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications DC/DC Converters

 9.2. Size:291K  ruichips
 ru3020l.pdf pdf_icon

RU30291R

RU3020L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/20A, RDS (ON) =15 m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =25 m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Sym

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU30140R, RU30160R, RU30160S, RU3020H, RU3020L, RU30230R, RU30231R, RU30290R, IRF840, RU30300R, RU3030M2, RU3040M, RU3040M2, RU304B, RU3050L, RU3065L, RU306C