RU3090M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU3090M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: PDFN5060

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RU3090M datasheet

 ..1. Size:305K  ruichips
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RU3090M

RU3090M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/98A, RDS (ON) =1.7m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.2m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Conversion Switching Application N-Channel MO

 9.1. Size:662K  ruichips
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RU3090M

RU3091M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/90A, D RDS (ON) =2.8m (Typ.)@VGS=10V D D D RDS (ON) =3.4m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed G 100% avalanche tested S S S PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 PDFN5060 D Applications DC/DC

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