RU3090M Todos los transistores

 

RU3090M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU3090M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RU3090M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  ruichips
 ru3090m.pdf pdf_icon

RU3090M

RU3090M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/98A, RDS (ON) =1.7m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.2m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Conversion Switching Application N-Channel MO

 9.1. Size:662K  ruichips
 ru3091m.pdf pdf_icon

RU3090M

RU3091MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/90A,DRDS (ON) =2.8m(Typ.)@VGS=10V DDDRDS (ON) =3.4m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Fast Switching SpeedG 100% avalanche tested SSSPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1PDFN5060DApplications DC/DC

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