Справочник MOSFET. RU3090M

 

RU3090M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU3090M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060
 

 Аналог (замена) для RU3090M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU3090M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  ruichips
 ru3090m.pdf pdf_icon

RU3090M

RU3090M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/98A, RDS (ON) =1.7m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.2m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Conversion Switching Application N-Channel MO

 9.1. Size:662K  ruichips
 ru3091m.pdf pdf_icon

RU3090M

RU3091MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/90A,DRDS (ON) =2.8m(Typ.)@VGS=10V DDDRDS (ON) =3.4m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Fast Switching SpeedG 100% avalanche tested SSSPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1PDFN5060DApplications DC/DC

Другие MOSFET... RU3040M2 , RU304B , RU3050L , RU3065L , RU306C , RU3070L , RU3070M , RU3089L , 10N60 , RU30C8H , RU30D10H , RU30D8H , RU30E30L , RU30E40L , RU30E4B , RU30E60M2 , RU30E7H .

History: STB33N65M2 | STB200NF04L-1

 

 
Back to Top

 


 
.