Справочник MOSFET. RU3090M

 

RU3090M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU3090M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU3090M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  ruichips
 ru3090m.pdf pdf_icon

RU3090M

RU3090M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/98A, RDS (ON) =1.7m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.2m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Conversion Switching Application N-Channel MO

 9.1. Size:662K  ruichips
 ru3091m.pdf pdf_icon

RU3090M

RU3091MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/90A,DRDS (ON) =2.8m(Typ.)@VGS=10V DDDRDS (ON) =3.4m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Fast Switching SpeedG 100% avalanche tested SSSPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1PDFN5060DApplications DC/DC

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: CEU830G | 60N06L-TQ2-T | KP801B | NTMFD5875NL | NCE65T540K | STP22NS25Z | BRCS3710LRA

 

 
Back to Top

 


 
.