RU3090M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU3090M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060

Аналог (замена) для RU3090M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU3090M даташит

 ..1. Size:305K  ruichips
 ru3090m.pdf pdf_icon

RU3090M

RU3090M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/98A, RDS (ON) =1.7m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.2m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Conversion Switching Application N-Channel MO

 9.1. Size:662K  ruichips
 ru3091m.pdf pdf_icon

RU3090M

RU3091M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/90A, D RDS (ON) =2.8m (Typ.)@VGS=10V D D D RDS (ON) =3.4m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed G 100% avalanche tested S S S PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 PDFN5060 D Applications DC/DC

Другие IGBT... RU3040M2, RU304B, RU3050L, RU3065L, RU306C, RU3070L, RU3070M, RU3089L, IRFP260N, RU30C8H, RU30D10H, RU30D8H, RU30E30L, RU30E40L, RU30E4B, RU30E60M2, RU30E7H